STP34NM60N
Symbol Micros:
TSTP34NM60N
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 25V; 105 mOhm; 31,5A; 250 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 105mOhm |
| Max. Drainstrom: | 31,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 250W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,2922 | 2,9381 | 2,7248 | 2,5864 | 2,5325 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP34NM60N
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
498 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,5325 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP34NM60N
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
4950 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,5325 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP34NM60N
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
226 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,5325 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 105mOhm |
| Max. Drainstrom: | 31,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 250W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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