STP36NF06

Symbol Micros: TSTP36NF06
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 70W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STP55NF06; Auslaufmodell;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT