STP3NK60Z

Symbol Micros: TSTP3NK60

Gehäuse: TO220

N-MOSFET-Transistor; 600V; 600V; 30V; 3,6 Ohm; 2,4A; 45W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: STP3NB60;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	3,6Ohm
Max. Drainstrom:	2,4A
Maximaler Leistungsverlust:	45W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Msx. Drain-Gate Spannung:	600V

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP3NK60Z Gehäuse: TO220

Externes Lager:

6800 stk.

Anzahl Stück	450+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2572

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP3NK60Z Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1000 stk.

Anzahl Stück	400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2974

Widerstand im offenen Kanal:	3,6Ohm
Max. Drainstrom:	2,4A
Maximaler Leistungsverlust:	45W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Msx. Drain-Gate Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT