STP3NK60ZFP

Symbol Micros: TSTP3NK60zfp
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
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N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 3,6 Ohm; 2,4A; 20W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,6Ohm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 20W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP3NK60ZFP RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,9407 0,5960 0,4716 0,4285 0,4093
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP3NK60ZFP Gehäuse: TO220FP  
Externes Lager:
1500 stk.
Anzahl Stück 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4125
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP3NK60ZFP Gehäuse: TO220FP  
Externes Lager:
5800 stk.
Anzahl Stück 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4445
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3,6Ohm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 20W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

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