STP3NK80Z
Symbol Micros:
TSTP3NK80Z
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 4,5 Ohm; 2,5A; 70W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 4,5Ohm |
Max. Drainstrom: | 2,5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 70W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7069 | 0,4474 | 0,3522 | 0,3213 | 0,3070 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP3NK80Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2555 stk.
Anzahl Stück | 350+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3494 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP3NK80Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1871 stk.
Anzahl Stück | 350+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3428 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP3NK80Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück | 350+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3309 |
Widerstand im offenen Kanal: | 4,5Ohm |
Max. Drainstrom: | 2,5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 70W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole