STP45NF06

Symbol Micros: TSTP45NF06
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 28mOhm; 38A; 80W; -65 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 28mOhm
Max. Drainstrom: 38A
Maximaler Leistungsverlust: 80W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP45NF06 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9262 0,6800 0,5440 0,4666 0,4408
Standard-Verpackung:
50/200
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP45NF06 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4500
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP45NF06 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
510 stk.
Anzahl Stück 400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4408
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 28mOhm
Max. Drainstrom: 38A
Maximaler Leistungsverlust: 80W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 175°C
Montage: THT