STP4NK60ZFP
Symbol Micros:
TSTP4NK60ZFP
Gehäuse: TO220iso
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 2Ohm; 4A; 25W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
Max. Drainstrom: | 4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 25W |
Gehäuse: | TO220iso |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP4NK60ZFP
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
600 stk.
Anzahl Stück | 350+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3450 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP4NK60ZFP
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
24900 stk.
Anzahl Stück | 400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,3262 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP4NK60ZFP
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
5800 stk.
Anzahl Stück | 350+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,3384 |
Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
Max. Drainstrom: | 4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 25W |
Gehäuse: | TO220iso |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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