STP55NF06

Symbol Micros: TSTP55NF06
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 110W; -55°C ~ 175°C; Replacement: STP36NF06; HT55NF06ASZ;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP55NF06 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
540 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9231 0,6778 0,5437 0,4650 0,4396
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT

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