STP55NF06FP
Symbol Micros:
TSTP55NF06FP
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 30W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 18mOhm |
| Max. Drainstrom: | 50A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 30W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP55NF06FP RoHS
Gehäuse: TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9774 | 0,7179 | 0,5752 | 0,4934 | 0,4653 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP55NF06FP
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2601 stk.
| Anzahl Stück | 400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4653 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP55NF06FP
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1800 stk.
| Anzahl Stück | 400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4653 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP55NF06FP
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
6850 stk.
| Anzahl Stück | 400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4653 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 18mOhm |
| Max. Drainstrom: | 50A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 30W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole