STP55NF06FP

Symbol Micros: TSTP55NF06FP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 30W; -55 °C ~ 175 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP55NF06FP RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9909 0,7278 0,5832 0,5002 0,4718
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Standard-Verpackung:
50/200
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP55NF06FP Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
5150 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4718
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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