STP5NB60

Symbol Micros: TSTP5NB60
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Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 600V; 600V; 30V; 2Ohm; 5A; 100 W; -65 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 100W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Msx. Drain-Gate Spannung: 600V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP5NB60 Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
299 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,7740 0,4864 0,3835 0,3484 0,3367
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist Standard-Verpackung:
50/500
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 100W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Msx. Drain-Gate Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Montage: THT

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