STP5NK80ZFP

Symbol Micros: TSTP5NK80ZFP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
N-MOSEFT 4,3A 800V 30W

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,4Ohm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 2,4Ohm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT