STP5NK80ZFP

Symbol Micros: TSTP5NK80ZFP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
N-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 2,4 Ohm; 4,3A; 30W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,4Ohm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP5NK80ZFP Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
108050 stk.
Anzahl Stück 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4440
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP5NK80ZFP Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
6853 stk.
Anzahl Stück 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4607
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP5NK80ZFP Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
3180 stk.
Anzahl Stück 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4696
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 2,4Ohm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT