STP60NF06
Symbol Micros:
TSTP60NF06
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 16mOhm; 60A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 16mOhm |
Max. Drainstrom: | 60A |
Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 200+ | 350+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,0704 | 0,7105 | 0,5469 | 0,5165 | 0,5095 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP60NF06
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
8855 stk.
Anzahl Stück | 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5095 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP60NF06
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
30500 stk.
Anzahl Stück | 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5095 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP60NF06
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
28068 stk.
Anzahl Stück | 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5095 |
Widerstand im offenen Kanal: | 16mOhm |
Max. Drainstrom: | 60A |
Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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