STP60NF06L
Symbol Micros:
TSTP60NF06L
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 15V; 16mOhm; 60A; 110 W; -65 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 16mOhm |
Max. Drainstrom: | 60A |
Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,0756 | 0,7903 | 0,6337 | 0,5425 | 0,5121 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP60NF06L
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2007 stk.
Anzahl Stück | 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5121 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP60NF06L
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1950 stk.
Anzahl Stück | 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5121 |
Widerstand im offenen Kanal: | 16mOhm |
Max. Drainstrom: | 60A |
Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 15V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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