STP60NF10

Symbol Micros: TSTP60NF10

Gehäuse:

N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 23mOhm; 80A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STP50NE08; STP50NF08;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	23mOhm
Max. Drainstrom:	80A
Maximaler Leistungsverlust:	300W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP60NF10 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

2700 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5521

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP60NF10 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

700 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5327

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP60NF10 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

10000 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5628

Widerstand im offenen Kanal:	23mOhm
Max. Drainstrom:	80A
Maximaler Leistungsverlust:	300W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT