STP6N60M2

Symbol Micros: TSTP6N60M2
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET 4.5A 600V 60W 1.2Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 4,5A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ST
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP6N60M2 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
3900 stk.
Anzahl Stück 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6239
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 4,5A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ST
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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