STP6NB50

Symbol Micros: TSTP6NB50
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET 5.8A 500V 100W 1.35Ω

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Max. Drainstrom: 5,8A
Maximaler Leistungsverlust: 100W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Msx. Drain-Gate Spannung: 500V
Hersteller: SGS Hersteller-Teilenummer: STP6NB50 Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
1369 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4463 0,2710 0,2077 0,1874 0,1783
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Standard-Verpackung:
50/1650
Widerstand im offenen Kanal: 1,5Ohm
Max. Drainstrom: 5,8A
Maximaler Leistungsverlust: 100W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Msx. Drain-Gate Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT

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