STP6NK90ZFP
Symbol Micros:
TSTP6NK90ZFP
Gehäuse: TO220iso
N-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 2Ohm; 5,8A; 30W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
Max. Drainstrom: | 5,8A |
Maximaler Leistungsverlust: | 30W |
Gehäuse: | TO220iso |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 900V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP6NK90ZFP RoHS
Gehäuse: TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
70 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 50+ | 250+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,9140 | 1,4186 | 1,2386 | 1,1779 | 1,1265 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP6NK90ZFP
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
17450 stk.
Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 1,1265 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP6NK90ZFP
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
4381 stk.
Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,1265 |
Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
Max. Drainstrom: | 5,8A |
Maximaler Leistungsverlust: | 30W |
Gehäuse: | TO220iso |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 900V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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