STP75NF20

Symbol Micros: TSTP75NF20
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-MOSFET 75A 200V 190W

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 34mOhm
Max. Drainstrom: 75A
Maximaler Leistungsverlust: 190W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 34mOhm
Max. Drainstrom: 75A
Maximaler Leistungsverlust: 190W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT