STP75NF75
Symbol Micros:
TSTP75NF75
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 75V; 75V; 20V; 11mOhm; 80A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STP75NE75;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 11mOhm |
Max. Drainstrom: | 80A |
Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 75V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 75V |
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,5640 | 1,0951 | 0,8770 | 0,8512 | 0,8231 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP75NF75
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
16500 stk.
Anzahl Stück | 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,8231 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP75NF75
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
5350 stk.
Anzahl Stück | 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,8231 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP75NF75
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
17813 stk.
Anzahl Stück | 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,8231 |
Widerstand im offenen Kanal: | 11mOhm |
Max. Drainstrom: | 80A |
Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 75V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 75V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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