VBZM75NF75

Symbol Micros: TSTP75NF75 VBS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 9mOhm; 100A; 180 W; -55°C~150°C; STP75NF75-VB;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 180W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VBSEMI ELEC
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 9mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 180W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VBSEMI ELEC
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT