STP7NK80Z
Symbol Micros:
TSTP7NK80Z
Gehäuse: TO220
N-MOSFET 5,2A 22V 125W
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,8Ohm |
| Max. Drainstrom: | 5,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 800V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,8Ohm |
| Max. Drainstrom: | 5,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 800V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Montage: | THT |
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