STP7NK80ZFP
Symbol Micros:
TSTP7NK80ZFP
Gehäuse: TO220iso
N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 800V; 30V; 1,8 Ohm; 5,2A; 30W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,8Ohm |
| Max. Drainstrom: | 5,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 30W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 800V |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP7NK80ZFP RoHS
Gehäuse: TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
75 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,0432 | 1,5708 | 1,3334 | 1,3055 | 1,2776 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP7NK80ZFP
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
3100 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2776 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP7NK80ZFP
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
1290 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2776 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP7NK80ZFP
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
300 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2776 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,8Ohm |
| Max. Drainstrom: | 5,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 30W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 800V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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