STP7NK80ZFP

Symbol Micros: TSTP7NK80ZFP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 800V; 30V; 1,8 Ohm; 5,2A; 30W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,8Ohm
Max. Drainstrom: 5,2A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Msx. Drain-Gate Spannung: 800V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP7NK80ZFP RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,0579 1,5821 1,3430 1,3149 1,2868
Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 1,8Ohm
Max. Drainstrom: 5,2A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Msx. Drain-Gate Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT