STP7NM80

Symbol Micros: TSTP7NM80
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 1,05 Ohm; 6,5A; 90W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,05Ohm
Max. Drainstrom: 6,5A
Maximaler Leistungsverlust: 90W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP7NM80 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,6081 2,2529 2,0449 1,9117 1,8626
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 1,05Ohm
Max. Drainstrom: 6,5A
Maximaler Leistungsverlust: 90W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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