STP7NM80
Symbol Micros:
TSTP7NM80
Gehäuse: TO220
Trans MOSFET N-CH 800V 6.5A
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 1,05Ohm |
Max. Drainstrom: | 6,5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 90W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 1,05Ohm |
Max. Drainstrom: | 6,5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 90W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Montage: | THT |
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