STP80NF03L-04 STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTP80NF03L-04
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 30V; 30V; 20V; 6,5 mOhm; 80A; 300 W; -65 °C ~ 175 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,5mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 30V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP80NF03L-04 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
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10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,7743 1,4133 1,2094 1,0875 1,0430
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 6,5mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT

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