STP80NF03L-04 STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTP80NF03L-04
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 30V; 30V; 20V; 6,5 mOhm; 80A; 300 W; -65 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,5mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 30V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP80NF03L-04 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,7691 1,4092 1,2059 1,0844 1,0400
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP80NF03L-04 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
45450 stk.
Anzahl Stück 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,0400
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP80NF03L-04 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
2445 stk.
Anzahl Stück 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,0400
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 6,5mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 175°C
Montage: THT