STP80NF06
Symbol Micros:
TSTP80NF06
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 8mOhm; 80A; 300 W; -65 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 8mOhm |
| Max. Drainstrom: | 80A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP80NF06
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
600 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,6824 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP80NF06
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
5400 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,5016 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 8mOhm |
| Max. Drainstrom: | 80A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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