STP80NF10
Symbol Micros:
TSTP80NF10
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 15mOhm; 80A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 15mOhm |
| Max. Drainstrom: | 80A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 150+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,9754 | 1,5184 | 1,2900 | 1,2495 | 1,2352 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP80NF10
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
13950 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2352 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP80NF10
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
800 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2352 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP80NF10
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
3487 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2352 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 15mOhm |
| Max. Drainstrom: | 80A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole