STP80NF10

Symbol Micros: TSTP80NF10
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15mOhm; 80A; 300W; -55°C ~ 175°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP80NF10 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
85 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,9394 1,4908 1,2664 1,2267 1,2127
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Standard-Verpackung:
50/150
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT

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