STP80NF10FP

Symbol Micros: TSTP80NF10fp
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 15mOhm; 38A; 45W; -55 °C ~ 175 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 38A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP80NF10FP RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,1071 1,7673 1,5704 1,4485 1,4040
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 38A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT