STP80NF12 STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTP80NF12
Gehäuse: TO220
N-MOSFET 120V 80A 300W
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 18mOhm |
Max. Drainstrom: | 80A |
Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 120V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 18mOhm |
Max. Drainstrom: | 80A |
Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 120V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Montage: | THT |
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