STP80NF12 STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTP80NF12
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 120V; 20V; 18mOhm; 80A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 18mOhm |
| Max. Drainstrom: | 80A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 120V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 50+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,9818 | 1,5214 | 1,3532 | 1,2947 | 1,2386 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP80NF12
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2000 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2386 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP80NF12
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
4900 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2386 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 18mOhm |
| Max. Drainstrom: | 80A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 120V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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