STP80NF55-06FP

Symbol Micros: TSTP80NF55-06FP

Gehäuse: TO220iso

N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 6,5 mOhm; 60A; 45W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	6,5mOhm
Max. Drainstrom:	60A
Maximaler Leistungsverlust:	45W
Gehäuse:	TO220iso
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	6,5mOhm
Max. Drainstrom:	60A
Maximaler Leistungsverlust:	45W
Gehäuse:	TO220iso
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT