STP80NF55-08

Symbol Micros: TSTP80NF55-08
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-MOSFET 80A 55V 300W 0.008Ω

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP80NF55-08 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,3460 1,8623 1,6824 1,5912 1,5632
Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT