STP80NF55-08

Symbol Micros: TSTP80NF55-08
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 8mOhm; 80A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP80NF55-08 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,4656 1,9561 1,7691 1,6733 1,6429
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Standard-Verpackung:
20
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP80NF55-08 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
4100 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,6429
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP80NF55-08 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
27000 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,6429
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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