STP8NK100Z

Symbol Micros: TSTP8NK100Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET; 1000V; 1000V; 30V; 1,85Ohm; 6,5A; 160W; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,85Ohm
Max. Drainstrom: 6,5A
Maximaler Leistungsverlust: 160W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Msx. Drain-Gate Spannung: 1000V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP8NK100Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
45 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,2011 1,6917 1,4370 1,4066 1,3763
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 1,85Ohm
Max. Drainstrom: 6,5A
Maximaler Leistungsverlust: 160W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Msx. Drain-Gate Spannung: 1000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT

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