STP8NK100Z
Symbol Micros:
TSTP8NK100Z
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 1000V; 1000V; 30V; 1,85 Ohm; 6,5A; 160 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,85Ohm |
| Max. Drainstrom: | 6,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 160W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 1000V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 1000V |
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,2015 | 1,6920 | 1,4373 | 1,4069 | 1,3765 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP8NK100Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
750 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,3765 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP8NK100Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1750 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,3765 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP8NK100Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
7817 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,3765 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,85Ohm |
| Max. Drainstrom: | 6,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 160W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 1000V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 1000V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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