STP8NM50N

Symbol Micros: TSTP8NM50N
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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Trans MOSFET N-CH 500V 5A

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 790mOhm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 550V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP8NM50N RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
84 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,0491 0,6986 0,5398 0,5211 0,5000
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 790mOhm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 550V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Montage: THT

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