STP8NM50N
Symbol Micros:
TSTP8NM50N
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 550V; 25V; 790 mOhm; 5A; 45W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 790mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 45W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 550V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0493 | 0,6988 | 0,5399 | 0,5212 | 0,5001 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP8NM50N
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
4350 stk.
| Anzahl Stück | 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5001 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP8NM50N
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
4500 stk.
| Anzahl Stück | 350+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5001 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP8NM50N
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1980 stk.
| Anzahl Stück | 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5001 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 790mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 45W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 550V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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