STP95N4F3

Symbol Micros: TSTP95N4F3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 6,2mOhm; 80A; 110W; -55°C ~ 175°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,2mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP95N4F3 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9627 0,7057 0,5655 0,4860 0,4580
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 6,2mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT

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