STP95N4F3

Symbol Micros: TSTP95N4F3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 6,2 mOhm; 80A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,2mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP95N4F3 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9629 0,7058 0,5656 0,4861 0,4581
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP95N4F3 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
23000 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,8061
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP95N4F3 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7770
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 6,2mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT