STP9NK50Z
Symbol Micros:
TSTP9NK50Z
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 500V; 30V; 850 mOhm; 7,2A; 110 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 850mOhm |
| Max. Drainstrom: | 7,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 500V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 850mOhm |
| Max. Drainstrom: | 7,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 500V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Montage: | THT |
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