STP9NK50ZFP
Symbol Micros:
TSTP9NK50ZFP
Gehäuse: TO220iso
N-MOSFET-Transistor; 500V; 500V; 30V; 850 mOhm; 7,2A; 30W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 850mOhm |
Max. Drainstrom: | 7,2A |
Maximaler Leistungsverlust: | 30W |
Gehäuse: | TO220iso |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 500V |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP9NK50ZFP RoHS
Gehäuse: TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,8063 | 0,5071 | 0,3973 | 0,3739 | 0,3506 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP9NK50ZFP
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
5650 stk.
Anzahl Stück | 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3954 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP9NK50ZFP
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
28730 stk.
Anzahl Stück | 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4757 |
Widerstand im offenen Kanal: | 850mOhm |
Max. Drainstrom: | 7,2A |
Maximaler Leistungsverlust: | 30W |
Gehäuse: | TO220iso |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 500V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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