STP9NK50ZFP

Symbol Micros: TSTP9NK50ZFP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
N-MOSFET-Transistor; 500V; 500V; 30V; 850 mOhm; 7,2A; 30W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 850mOhm
Max. Drainstrom: 7,2A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Msx. Drain-Gate Spannung: 500V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP9NK50ZFP RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,8063 0,5071 0,3973 0,3739 0,3506
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP9NK50ZFP Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
5650 stk.
Anzahl Stück 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3954
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP9NK50ZFP Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
28730 stk.
Anzahl Stück 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4757
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 850mOhm
Max. Drainstrom: 7,2A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Msx. Drain-Gate Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT