STP9NK60Z
Symbol Micros:
TSTP9NK60
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 950 mOhm; 7A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: STP9NC60;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 950mOhm |
| Max. Drainstrom: | 7A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 50+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,4303 | 0,9979 | 0,8483 | 0,7969 | 0,7525 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP9NK60Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1300 stk.
| Anzahl Stück | 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7525 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP9NK60Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
3500 stk.
| Anzahl Stück | 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7525 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP9NK60Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
3050 stk.
| Anzahl Stück | 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7525 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 950mOhm |
| Max. Drainstrom: | 7A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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