STP9NK60ZFP
Symbol Micros:
TSTP9NK60ZFP
Gehäuse: TO220iso
N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 950 mOhm; 7A; 30W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 950mOhm |
Max. Drainstrom: | 7A |
Maximaler Leistungsverlust: | 30W |
Gehäuse: | TO220iso |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP9NK60ZFP RoHS
Gehäuse: TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
6 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 400+ |
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Nettopreis (EUR) | 1,3461 | 0,9418 | 0,7549 | 0,7315 | 0,7081 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP9NK60ZFP
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
500 stk.
Anzahl Stück | 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,7081 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP9NK60ZFP
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
430 stk.
Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7081 |
Widerstand im offenen Kanal: | 950mOhm |
Max. Drainstrom: | 7A |
Maximaler Leistungsverlust: | 30W |
Gehäuse: | TO220iso |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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