STP9NK60ZFP

Symbol Micros: TSTP9NK60ZFP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-MOSFET 7A 600V 30W

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 950mOhm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP9NK60ZFP RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
26 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,3459 0,9417 0,7547 0,7314 0,7080
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 950mOhm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT

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