STP9NK90Z

Symbol Micros: TSTP9NK90Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 1,3 Ohm; 8A; 160 W; -55 °C ~ 150 °C; WMK09N90C2-CYG
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,3Ohm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 160W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP9NK90Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
105 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,9805 1,5783 1,3515 1,2136 1,1644
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP9NK90Z Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
525 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,1644
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP9NK90Z Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,1644
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP9NK90Z Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
955 stk.
Anzahl Stück 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,1644
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,3Ohm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 160W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT