STP9NK90Z
Symbol Micros:
TSTP9NK90Z
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 1,3 Ohm; 8A; 160 W; -55 °C ~ 150 °C; WMK09N90C2-CYG
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 1,3Ohm |
Max. Drainstrom: | 8A |
Maximaler Leistungsverlust: | 160W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 900V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,9805 | 1,5783 | 1,3515 | 1,2136 | 1,1644 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP9NK90Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
525 stk.
Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,1644 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP9NK90Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,1644 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP9NK90Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
955 stk.
Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,1644 |
Widerstand im offenen Kanal: | 1,3Ohm |
Max. Drainstrom: | 8A |
Maximaler Leistungsverlust: | 160W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 900V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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