STQ1NK60ZR-AP

Symbol Micros: TSTQ1NK60ZR-AP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 15 Ohm; 300mA; 3W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 15Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: TO-92
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STQ1NK60ZR-AP RoHS Gehäuse: TO92ammoformed Datenblatt
Auf Lager:
867 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5282 0,3202 0,2454 0,2220 0,2113
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Standard-Verpackung:
2000
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STQ1NK60ZR-AP Gehäuse: TO92  
Externes Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2113
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STQ1NK60ZR-AP Gehäuse: TO92  
Externes Lager:
8000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2113
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 15Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: TO-92
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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