STQ1NK60ZR-AP

Symbol Micros: TSTQ1NK60ZR-AP
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Gehäuse: TO92
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 15 Ohm; 300mA; 3W; -55°C~150°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 15Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: TO-92
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STQ1NK60ZR-AP RoHS Gehäuse: TO92ammoformed Datenblatt
Auf Lager:
880 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5297 0,3211 0,2461 0,2227 0,2119
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Standard-Verpackung:
2000
Widerstand im offenen Kanal: 15Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: TO-92
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT

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