STS4DNF60L SOIC8 STM
Symbol Micros:
TSTS4DNF60L
Gehäuse:
N-MOSFET-Transistor; 60V; 15V; 65mOhm; 4A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 65mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2W |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STS4DNF60L
Gehäuse: SOP08
Externes Lager:
35000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3379 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STS4DNF60L
Gehäuse: SOP08
Externes Lager:
2500 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2741 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 65mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2W |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 15V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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