STS8C5H30L

Symbol Micros: TSTS8C5H30L
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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N/P-MOSFET-Transistor; 30V; 16V; 25mOhm/75mOhm; 8A/5,4A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; STS8C5H30L-VB;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 75mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: STS8C5H30L-VB RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,9001 0,5640 0,4680 0,4176 0,3912
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 75mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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