STU2NK100Z

Name: TSTU2NK100Z TSTU2NK100Z
Brand: ST
SKU: TSTU2NK100Z
Price: 0.3249 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSTU2NK100Z

Gehäuse: TO251 (IPACK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 1000V; 30V; 8,5 Ohm; 1,85A; 70W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	8,5Ohm
Max. Drainstrom:	1,85A
Maximaler Leistungsverlust:	70W
Gehäuse:	TO251 (IPACK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	1000V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STU2NK100Z RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt

Auf Lager:

65 stk.

Anzahl Stück	2+	5+	20+	75+	300+
Nettopreis (EUR)	0,7479	0,5539	0,4090	0,3506	0,3249

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STU2NK100Z Gehäuse: TO251 (IPACK)

Externes Lager:

19425 stk.

Anzahl Stück	375+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3249

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STU2NK100Z Gehäuse: TO251 (IPACK)

Externes Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	375+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3304

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STU2NK100Z Gehäuse: TO251 (IPACK)

Externes Lager:

375 stk.

Anzahl Stück	375+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3367

Widerstand im offenen Kanal:	8,5Ohm
Max. Drainstrom:	1,85A
Maximaler Leistungsverlust:	70W
Gehäuse:	TO251 (IPACK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	1000V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT