STU4N52K3
Symbol Micros:
TSTU4N52K3
Gehäuse: TO251 (IPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 525V; 30V; 2,6 Ohm; 2,5A; 45W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 2,6Ohm |
Max. Drainstrom: | 2,5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 45W |
Gehäuse: | TO251 (IPACK) |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 525V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STU4N52K3 RoHS
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 75+ | 300+ | 1200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4978 | 0,3015 | 0,2232 | 0,2057 | 0,1986 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STU4N52K3
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Externes Lager:
1950 stk.
Anzahl Stück | 600+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1986 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STU4N52K3
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Externes Lager:
5325 stk.
Anzahl Stück | 675+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1986 |
Widerstand im offenen Kanal: | 2,6Ohm |
Max. Drainstrom: | 2,5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 45W |
Gehäuse: | TO251 (IPACK) |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 525V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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