STU4N52K3

Symbol Micros: TSTU4N52K3
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Gehäuse: TO251 (IPACK)
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Transistor N-Channel MOSFET; 525V; 30V; 2,6Ohm; 2,5A; 45W; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,6Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 525V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STU4N52K3 RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 75+ 300+ 1200+
Nettopreis (EUR) 0,4977 0,3014 0,2231 0,2056 0,1986
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Standard-Verpackung:
75
Widerstand im offenen Kanal: 2,6Ohm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 525V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT

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