STW10NK60Z
Symbol Micros:
TSTW10NK60Z
Gehäuse: TO247
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 750 mOhm; 10A; 156W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 750mOhm |
Max. Drainstrom: | 10A |
Maximaler Leistungsverlust: | 156W |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 30+ | 150+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 2,0145 | 1,5471 | 1,3461 | 1,2760 | 1,2597 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW10NK60Z
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
6360 stk.
Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,2597 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW10NK60Z
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
1424 stk.
Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,2597 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW10NK60Z
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
2790 stk.
Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,2597 |
Widerstand im offenen Kanal: | 750mOhm |
Max. Drainstrom: | 10A |
Maximaler Leistungsverlust: | 156W |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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