STW10NK60Z
Symbol Micros:
TSTW10NK60Z
Gehäuse: TO247
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 750 mOhm; 10A; 156W; -55 °C ~ 150 °C;
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 750mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 156W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 750mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 156W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Montage: | THT |
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