STW10NK80Z
Symbol Micros:
TSTW10NK80Z
Gehäuse: TO247
N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 800V; 30V; 900 mOhm; 9A; 160 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 900mOhm |
| Max. Drainstrom: | 9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 160W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 800V |
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 30+ | 150+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,6128 | 2,0075 | 1,7434 | 1,6546 | 1,6336 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW10NK80Z
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
170 stk.
| Anzahl Stück | 120+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,6336 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW10NK80Z
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
4080 stk.
| Anzahl Stück | 120+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,6336 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW10NK80Z
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
8388 stk.
| Anzahl Stück | 120+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,6336 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 900mOhm |
| Max. Drainstrom: | 9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 160W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 800V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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