STW11NK100Z

Symbol Micros: TSTW11NK100Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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N-MOSFET-Transistor; 1000V; 1000V; 30V; 1,38 Ohm; 8,3A; 230 W; -55 °C ~ 150 °C; Ähnlich wie: 2SK1120; 2SK3878(STA1,E,S);
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,38Ohm
Max. Drainstrom: 8,3A
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Msx. Drain-Gate Spannung: 1000V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW11NK100Z RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
210 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 150+
Nettopreis (EUR) 2,7133 2,3394 2,1220 2,0145 1,9374
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Standard-Verpackung:
30/150
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW11NK100Z Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
8940 stk.
Anzahl Stück 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,9374
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW11NK100Z Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
3059 stk.
Anzahl Stück 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,9374
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,38Ohm
Max. Drainstrom: 8,3A
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Msx. Drain-Gate Spannung: 1000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

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