STW11NK100Z
Symbol Micros:
TSTW11NK100Z
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 1000V; 1000V; 30V; 1,38 Ohm; 8,3A; 230 W; -55 °C ~ 150 °C; Ähnlich wie: 2SK1120; 2SK3878(STA1,E,S);
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,38Ohm |
| Max. Drainstrom: | 8,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 230W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 1000V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 1000V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,38Ohm |
| Max. Drainstrom: | 8,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 230W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 1000V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 1000V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Montage: | THT |
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