STW12NK90Z

Symbol Micros: TSTW12NK90Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Tranzystor N-MOSFET; 900V; 30V; 880mOhm; 11A; 230W; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 880mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW12NK90Z RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
94 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 120+ 240+
Nettopreis (EUR) 3,0214 2,4916 2,2556 2,1793 2,1585
Standard-Verpackung:
30
Widerstand im offenen Kanal: 880mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT