STW12NK90Z

Symbol Micros: TSTW12NK90Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 880 mOhm; 11A; 230 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 880mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW12NK90Z RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
94 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 120+ 240+
Nettopreis (EUR) 3,0538 2,5183 2,2798 2,2026 2,1816
Standard-Verpackung:
30
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW12NK90Z Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
8420 stk.
Anzahl Stück 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,1816
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW12NK90Z Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
1559 stk.
Anzahl Stück 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,1816
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW12NK90Z Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
2460 stk.
Anzahl Stück 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,1816
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 880mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT