STW13NK100Z

Symbol Micros: TSTW13NK100Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
N-Channel-MOSFET-Transistor; 1000V; 1000V; 30V; 700 mOhm; 13A; 350 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 700mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 350W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Msx. Drain-Gate Spannung: 1000V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW13NK100Z RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 5,2841 4,6951 4,3399 4,1623 4,0641
Standard-Verpackung:
30
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW13NK100Z Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
3020 stk.
Anzahl Stück 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 4,0641
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW13NK100Z Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
21930 stk.
Anzahl Stück 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 4,0641
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW13NK100Z Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
6128 stk.
Anzahl Stück 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 4,0641
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 700mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 350W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Msx. Drain-Gate Spannung: 1000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT