STW13NK100Z
Symbol Micros:
TSTW13NK100Z
Gehäuse: TO247
N-Channel-MOSFET-Transistor; 1000V; 1000V; 30V; 700 mOhm; 13A; 350 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 700mOhm |
Max. Drainstrom: | 13A |
Maximaler Leistungsverlust: | 350W |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 1000V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 1000V |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW13NK100Z RoHS
Gehäuse: TO247
Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
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Nettopreis (EUR) | 5,2841 | 4,6951 | 4,3399 | 4,1623 | 4,0641 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW13NK100Z
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
3020 stk.
Anzahl Stück | 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 4,0641 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW13NK100Z
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
21930 stk.
Anzahl Stück | 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 4,0641 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW13NK100Z
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
6128 stk.
Anzahl Stück | 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 4,0641 |
Widerstand im offenen Kanal: | 700mOhm |
Max. Drainstrom: | 13A |
Maximaler Leistungsverlust: | 350W |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 1000V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 1000V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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