STW13NK60Z

Symbol Micros: TSTW13NK60z
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Gehäuse: TO247
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N-MOSFET 13A 600V 150W

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW13NK60Z RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
65 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 120+ 240+
Nettopreis (EUR) 2,3413 1,8553 1,6450 1,5796 1,5609
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Standard-Verpackung:
30/120
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT

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