STW20NK50Z
Symbol Micros:
TSTW20NK50z
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 270 mOhm; 20A; 190 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 270mOhm |
Max. Drainstrom: | 20A |
Maximaler Leistungsverlust: | 190W |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW20NK50Z RoHS
Gehäuse: TO247
Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 30+ | 150+ | 300+ |
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Nettopreis (EUR) | 2,5015 | 1,9220 | 1,6707 | 1,5823 | 1,5637 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW20NK50Z
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
3660 stk.
Anzahl Stück | 120+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 1,5637 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW20NK50Z
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
5510 stk.
Anzahl Stück | 120+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 1,5637 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW20NK50Z
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
13468 stk.
Anzahl Stück | 120+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,5637 |
Widerstand im offenen Kanal: | 270mOhm |
Max. Drainstrom: | 20A |
Maximaler Leistungsverlust: | 190W |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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