STW20NK50Z

Symbol Micros: TSTW20NK50z
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Gehäuse: TO247
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N-MOSFET 17A 500V 190W

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 270mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 190W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW20NK50Z RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
155 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,5119 1,9300 1,6777 1,5889 1,5702
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Standard-Verpackung:
30/300
Widerstand im offenen Kanal: 270mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 190W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT

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